全自動(dòng)晶片倒角設備
原廠(chǎng)品牌：
原廠(chǎng)介紹：
株式會(huì )社雄飛位于日本東京都，從Si基板的倒角技術(shù)開(kāi)始，到專(zhuān)攻化合物半導體基板，約有50年的制造及銷(xiāo)售經(jīng)驗，累積生產(chǎn)臺數超過(guò)1000臺。在日本具有最大的綜合占有率，Si，LT，LN，藍寶石行業(yè)都具有最強的市占率。同時(shí)在第三代半導體及第四代半導體，都保持著(zhù)最高的技術(shù)及市場(chǎng)布局。接下來(lái)的幾年內，會(huì )慢慢轉向OEM模式，同時(shí)也在布局國產(chǎn)化的推進(jìn)。
產(chǎn)品圖片：
產(chǎn)品型號比較：
產(chǎn)品介紹：
日本進(jìn)口倒角設備，可對應2寸→8寸 Flat和Notch型加工的晶圓倒角需求。
是專(zhuān)門(mén)對應化合物半導體材料倒角的設備。
Ga2O3、 SiC、 GaN、 GaAs、 InP、 LT/LN、 Sapphire
設備核心優(yōu)勢：
1. 定心（中心）精度高、定位準確
定心：通過(guò)在內部設計的傳送臂上將晶片固定在研磨臺上的三個(gè)點(diǎn)上，并被單獨驅動(dòng)以實(shí)現精確的定心。磨削后的加工精度顯著(zhù)提高，精度在±30μm以?xún)?，使?/span>定位邊和缺口定位更加準確。通過(guò)提高定心精度，可以減少晶圓外圍的磨削量，延長(cháng)砂輪的使用壽命，晶片的真圓度更好。
定位：光纖傳感器用于測量晶圓外圍的光學(xué)分辨，定位邊部分的檢測大約為1000點(diǎn)/1°，精度在±0.03°以?xún)?。晶體定向的精度提高，使其成為如氧化物和化合物等重要的晶體定向中最理想的晶圓加工。
2. 耗材使用壽命提升
由于定心定位精度極高，因此可以通過(guò)適當的磨削量進(jìn)行加工。不需要額外的研磨。因此，金剛磨石的磨損量小。提高了磨石使用壽命，并最大限度地減少了磨石更換的停機時(shí)間。
3. 2軸獨立控制（1軸獨立加工也可以對應）
與 1 軸控制相比，成功實(shí)現了高生產(chǎn)率。與傳統類(lèi)型 (YH-2401) 相比加工效率提高20%，產(chǎn)量大大增加。
4. 可應對碳化硅、藍寶石等高硬度材料加工
采用高性能、高輸出電機、高剛性機體。
即使是高硬度材料，加工部也不會(huì )抖動(dòng)，可以進(jìn)行高精度的磨削！
5. 專(zhuān)注難切削材料 20+年
從20多年前就開(kāi)始著(zhù)手開(kāi)發(fā)作為高硬度材料的SiC的加工，確立了難切削材料的邊緣磨削技術(shù)。
6. 市場(chǎng)占有率高
本公司的設備在化合物半導體行業(yè)約占80%以上。（專(zhuān)注于日本市場(chǎng)）
在藍寶石行業(yè)約占90%以上，SiC約占70%。（專(zhuān)注于日本市場(chǎng)）
設備規格參數（YH-3602）：
基板尺寸: 3寸～6寸
基板厚度: 0.25mm～2.0mm(支持定位邊或定位缺口)
加工軸: 2軸(獨立控制)
砂輪槽數:按客戶(hù)要求
砂輪形狀:外徑φ200mm內徑φ30mm(定位缺口部外徑3mm )
砂輪轉速:外周1000mm～5000m/min(逆變器控制)
磨削速度: 外周1mm～50mm/sec
定位邊1mm～20mm/sec
※可設定各項目參數輸入
設備加工精度（YH-3602）：
設備規格參數（YH-8800）：
基板尺寸: 6寸～8寸
基板厚度: 0.25mm～2.0mm(支持定位邊或定位缺口)
加工軸: 2軸(獨立控制)
砂輪槽數:按客戶(hù)要求
砂輪形狀:外徑φ200mm內徑φ30mm(定位缺口部外徑3mm )
砂輪轉速:外周1000mm～5000m/min(逆變器控制)
磨削速度: 外周1mm～50mm/sec
定位邊1mm～20mm/sec
※可設定各項目參數輸入
設備加工精度（YH-8800）：
設備各部件精度：
Ø磨削臺y軸:1μm (分辨率) ⇒ 脈沖電機+滾珠螺桿
Ø磨削臺面抖動(dòng):≦15μm ⇒ θ，y，z軸可調
Ø砂輪x軸精度: 1um (分辨率) ⇒ 脈沖電機+滾珠螺桿
Ø磨削臺回轉精度: 0.001(分辨率) ⇒ NSK中空軸兆電機
Ø定心精度:≦±30um ⇒ 機械式+光纖傳感器
產(chǎn)能（YH-8800）：
φ8”:約240秒/片
占地面積及重量尺寸：
尺寸：2,400mm(W )×1,680mm(D )×1,995mm(H )
重量:約2,000kg
設備運行視頻：
有任何相關(guān)問(wèn)題請咨詢(xún)：022-28219577