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氧化鎵片表面粗糙度的理論值為小于1nm，但該測試值不作為出廠(chǎng)測試項。
提供最終用途誓約書(shū)，個(gè)人簡(jiǎn)歷（中文或英文）以及3篇論文
可對應EFG倒模提拉法/VB垂直布里奇曼法/FZ區熔法等
鉭罩是碳化硅晶體生長(cháng)爐的關(guān)鍵部件，在PVT法、Gas法等晶體生長(cháng)爐長(cháng)晶時(shí)起到關(guān)鍵作用，可以有效提高晶體質(zhì)量，減少晶體不良率，防止設備內部污染。
氧化鎵原料為日本進(jìn)口的高純度原料，純度為5N，形狀是顆粒狀
清洗流程Ga2O3 substrates wet cleaning flow —Novel
001向Sn、UID—10mm×15mm、2inch、4inch。-201向Sn、UID—10mm×15mm、2inch。010向Sn、UID—10mm×15mm。
