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西電郝躍院士、張進(jìn)成教授團隊---優(yōu)化β-Ga?O?薄膜晶體質(zhì)量的新方法：氮離子注入誘導成核技術(shù)研究
通過(guò)誘導成核技術(shù)改善藍寶石（0001）襯底上 β-Ga2O3 的晶體質(zhì)量并提高 Ga2O3 紫外光探測器的性能
2025-03-20 10:40:35
日本NCT器件研究新突破！橫向結型場(chǎng)效應晶體管（JFET）突破10kV擊穿極限
來(lái)自美國和日本的研究團隊報告了一種擊穿電壓超過(guò) 10 kV 增強型（E-mode）氧化鎵（Ga2O3）橫向結型場(chǎng)效應晶體管（JFETs）
2025-02-26 10:04:26
比亞迪半導體對氧化鎵研究的新進(jìn)展——探索新領(lǐng)域的器件應用
該項研究展示了一種具有優(yōu)異高溫性能的金屬/n-Ga2O3/p-金剛石異質(zhì)結二極管。
2025-02-14 15:36:18
西安電子科技大學(xué)郝躍院士團隊關(guān)于超寬禁帶半導體材料與器件的研究進(jìn)展
本文通過(guò)結合國際國內最新研究進(jìn)展，概述了氧化鎵，金剛石，氮化鋁這三種超寬禁帶半導體材料與器件的相關(guān)研究，并以此對未來(lái)進(jìn)行了展望。
2024-11-07 14:58:57
