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天津理工大學(xué)科研團隊使用HVPE成功制備4英寸κ相及β相Ga?O?異質(zhì)外延膜
寬禁帶半導體材料Ga2O3由于其優(yōu)異的物理性能和良好的穩定性,在半導體功率器件、光電器件等領(lǐng)域展現出具大的應用潛力。生長(cháng)大尺寸、高質(zhì)量的Ga2O3外延膜是實(shí)現高性能器件量產(chǎn)的前提。鹵化物氣相外延(HVPE)法由于其高速率、大面積、穩定成膜的特點(diǎn),成為最具優(yōu)勢的Ga2O3外延工藝方法之一。然而,目前國內對于HVPE法制備Ga2O3外延膜的工藝研究相對較少,與日本等國家相比存在一定差距。
圖1 4英寸κ-Ga2O3異質(zhì)外延片
天津理工大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院趙金石教授科研團隊的弭偉和王迪老師一直致力于Ga2O3外延膜及器件的制備與研究工作。近日,研究團隊在Ga2O3的HVPE外延工藝研究方面取得新突破,團隊老師帶領(lǐng)梁金龍、李慶等研究生,成功在4英寸藍寶石襯底上分別生長(cháng)出了κ相及β相的Ga2O3外延膜。兩種外延膜均表現出良好的均勻性和高結晶質(zhì)量,其中κ-Ga2O3外延膜厚度約 2 μm,(002)面搖擺曲線(xiàn)半高寬379 arcsec;β-Ga2O3外延膜厚度達到4 μm以上,且厚度分布<±10%。該成果及后續研究將為高性能Ga2O3基功率器件的研發(fā)提供有力支撐。
圖2 4英寸β-Ga2O3異質(zhì)外延片
本文轉載自《亞洲氧化鎵聯(lián)盟》公眾號